Система работает в тестовом режиме. Предыдущая версия поиска доступна по ссылке.

Лебедев, Александр Александрович - Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Лебедев, Александр Александрович.

Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Ленинград, 1991. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
9 91-5/2937-8
9 91-5/2938-6

Marc21

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеГлубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 02.12.1991
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФиз.-техн. ин-т
Выходные данныеЛенинград, 1991
Физическое описание17 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.26,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места хранения9 91-5/2937-8
9 91-5/2938-6