Система работает в тестовом режиме. Предыдущая версия поиска доступна по ссылке.

Иошкин, Владимир Андреевич - Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

Карточка

Иошкин, Владимир Андреевич.

Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Физ.-технол. ин-т. - Москва, 1994. - 20 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
9 94-1/2810-x
9 94-1/2811-8

Marc21

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Дата поступления в ЭК 31.05.1994
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФиз.-технол. ин-т
Выходные данныеМосква, 1994
Физическое описание20 с.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
BBK-кодВ379.251.4-6,03
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места хранения9 94-1/2810-x
9 94-1/2811-8