Система работает в тестовом режиме. Предыдущая версия поиска доступна по ссылке.

Ташатов, Алланазар Каршиевич - Исследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04

Карточка

Ташатов, Алланазар Каршиевич.

Исследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Моск. физ.-техн. наук. - Москва, 1990. - 18 с.
Физическая электроника
9 90-6/2493-9
9 90-6/2494-7

Marc21

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование количественного состава и свойств ионно-имплантированных слоев Si, GaAs и сплава Pd-Ba методами вторичной электронной спектроскопии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Дата поступления в ЭК 27.09.1990
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиМоск. физ.-техн. наук
Выходные данныеМосква, 1990
Физическое описание18 с.
ТемаФизическая электроника
BBK-кодГ582.7,0
Специальность01.04.04: Физическая электроника
ЯзыкРусский
Места хранения9 90-6/2493-9
9 90-6/2494-7