Рудской, Игорь Владимирович - Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Рудской, Игорь Владимирович.
Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН УССР. Ин-т полупроводников. - Киев, 1989. - 181 с. : ил.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
OD 61 90-1/1033

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог диссертаций
Дата поступления в ЕЭК 16.03.1990
Каталоги Диссертации
Сведения об ответственностиАН УССР. Ин-т полупроводников
Выходные данныеКиев, 1989
Физическое описание181 с. : ил.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 90-1/1033