Исавердиев, Андрей Альбертович - Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18

Express fragment order
Исавердиев, Андрей Альбертович.
Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. - Москва, 1989. - 19 с.

Кристаллография, физика кристаллов
Шифр хранения:
FB 9 89-9/2147-2
FB 9 89-9/2148-0

Marc21

Download marc21 record

Show

Description

Author
TitleВлияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18
Catalogue library collections Abstracts of Dissertations
Date of receipt in electronic catalogue 16.01.1990
Catalogues Abstracts of Dissertations
ResponsibilityМоск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
ImprintМосква, 1989
Physical description19 с.
SubjectКристаллография, физика кристаллов
BBK indexВ379.351.3,03
В379.371.7,03
Discipline01.04.18: Кристаллография, физика кристаллов
LanguageRussian
Storage locationFB 9 89-9/2147-2
FB 9 89-9/2148-0