Васин, Александр Сергеевич - Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Васин, Александр Сергеевич.
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. - Нижний Новгород, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского. - Нижний Новгород, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 93-1/3429-8
FB 9 93-1/3430-1
Описание
Автор | Васин, Александр Сергеевич |
---|---|
Заглавие | Влияние всестороннего давления на образование и трансформацию дефектов в ионно-легированных полупроводниковых слоях и других структурах микроэлектроники : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 18.06.1993 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 12.10.2007 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
Выходные данные | Нижний Новгород, 1993 |
Физическое описание | 18 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.222,03 |
З884.1-060.16-1,0 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 93-1/3429-8 |
FB 9 93-1/3430-1 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |