Сергеева, Жанна Михайловна. - Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Гос. ин-т электронной техники. - Москва, 1994. - 15 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Сергеева, Жанна Михайловна.
Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Гос. ин-т электронной техники. - Москва, 1994. - 15 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Гос. ин-т электронной техники. - Москва, 1994. - 15 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
FB 9 94-1/1246-7
FB 9 94-1/1247-5
Описание
Автор | Сергеева, Жанна Михайловна |
---|---|
Заглавие | Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 22.04.1994 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 03.06.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Гос. ин-т электронной техники |
Выходные данные | Москва, 1994 |
Физическое описание | 15 с. |
Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
BBK-код | З844.15-060.6-1,0 |
Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 94-1/1246-7 |
FB 9 94-1/1247-5 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |