Найденков, Михаил Николаевич. - Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. физ.-техн. ин-т. - Москва, 1997. - 23 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Найденков, Михаил Николаевич.
Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. физ.-техн. ин-т. - Москва, 1997. - 23 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. физ.-техн. ин-т. - Москва, 1997. - 23 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 98-1/922-X
FB 9 98-1/923-8
Описание
| Автор | Найденков, Михаил Николаевич |
|---|---|
| Заглавие | Влияние состояния поверхности и гетерограниц на оптоэлектронные свойства наноразмерных структур на основе пористого кремния и пленок арсенида галлия на кремнии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 19.04.1998 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 12.12.2007 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Моск. физ.-техн. ин-т |
| Выходные данные | Москва, 1997 |
| Физическое описание | 23 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.226,03 |
| В379.249-6,03 | |
| В379.271.5-6,03 | |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 98-1/922-X |
| FB 9 98-1/923-8 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
