Тришканева, Марина Валерьевна. - Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti : автореферат дис. ... кандидата химических наук : 05.27.06 / Рос. хим.-технол. ун-т. - Москва, 1995. - 16 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Тришканева, Марина Валерьевна.
Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti : автореферат дис. ... кандидата химических наук : 05.27.06 / Рос. хим.-технол. ун-т. - Москва, 1995. - 16 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti : автореферат дис. ... кандидата химических наук : 05.27.06 / Рос. хим.-технол. ун-т. - Москва, 1995. - 16 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
FB 9 96-2/407-3
FB 9 96-2/408-1
Описание
| Автор | Тришканева, Марина Валерьевна |
|---|---|
| Заглавие | Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti : автореферат дис. ... кандидата химических наук : 05.27.06 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 05.12.1996 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 20.09.2007 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Рос. хим.-технол. ун-т |
| Выходные данные | Москва, 1995 |
| Физическое описание | 16 с. |
| Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
| BBK-код | Л746.48-1,0 |
| Г124.423.9-24,0 | |
| Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 96-2/407-3 |
| FB 9 96-2/408-1 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
