Дерягин, Николай Германович - Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Дерягин, Николай Германович.
Дерягин, Николай Германович.

Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1995. - 20 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 95-2/1830-6
FB 9 95-2/1831-4

Документ в свободном доступе. Читать 

Описание

Автор
ЗаглавиеВыращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 04.09.1995
Дата поступления в ЭБ 28.04.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиРос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1995
Физическое описание20 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.251.4-6,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 95-2/1830-6
FB 9 95-2/1831-4
Электронный адрес Электронный ресурс

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Документ

Страница 1 / 1