Лебедев, Александр Александрович - Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Лебедев, Александр Александрович.
Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Ленинград, 1991. - 17 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 91-5/2937-8
FB 9 91-5/2938-6

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеГлубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Дата поступления в ЕЭК 02.12.1991
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФиз.-техн. ин-т
Выходные данныеЛенинград, 1991
Физическое описание17 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.26,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 91-5/2937-8
FB 9 91-5/2938-6