Ишкалов, Жанай Толаганович - Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Ишкалов, Жанай Толаганович.
Ишкалов, Жанай Толаганович.

Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 93-1/2142-0
FB 9 93-1/2143-9

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 27.04.1993
Дата поступления в ЭБ 12.10.2007
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиРос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1993
Физическое описание18 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодГ597,0
З843.308-5,0
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 93-1/2142-0
FB 9 93-1/2143-9
Электронный адрес Электронный ресурс