Ишкалов, Жанай Толаганович. - Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Ишкалов, Жанай Толаганович.
Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 93-1/2142-0
FB 9 93-1/2143-9
Описание
| Автор | Ишкалов, Жанай Толаганович |
|---|---|
| Заглавие | Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 27.04.1993 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 12.10.2007 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| Выходные данные | Санкт-Петербург, 1993 |
| Физическое описание | 18 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | Г597,0 |
| З843.308-5,0 | |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 93-1/2142-0 |
| FB 9 93-1/2143-9 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
