Рафаилов, Эдик Урихаевич - Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP Λ = 1.3МКМ) и InGaAsP/GaAs ( λ = 0.8МКМ) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Рафаилов, Эдик Урихаевич.
Исследование оптических характеристик InGaAsP/InP Λ = 1.3МКМ) и InGaAsP/GaAs ( λ = 0.8МКМ) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1991. - 16 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-1/230-x
FB 9 92-1/231-8

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование оптических характеристик InGaAsP/InP Λ = 1.3МКМ) и InGaAsP/GaAs ( λ = 0.8МКМ) мощных лазеров раздельного ограничения с широким полосковым контактом : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Дата поступления в ЭК 13.03.1992
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиАН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1991
Физическое описание16 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.5,03
З86-531.8-016,0
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 92-1/230-x
FB 9 92-1/231-8