Рудской, Игорь Владимирович - Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Рудской, Игорь Владимирович.

Исследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН УССР. Ин-т полупроводников. - Киев, 1989. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 90-2/449-2
FB 9 90-2/450-6

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование процессов дефектообразования в структурах с планарным геттером при высокодозовой имплантации : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 16.03.1990
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиАН УССР. Ин-т полупроводников
Выходные данныеКиев, 1989
Физическое описание16 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 90-2/449-2
FB 9 90-2/450-6