Воднев, Андрей Анатольевич. - Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств Al GaAs-GaAs гетероструктур с субмикронными слоями : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1989. - 16 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Воднев, Андрей Анатольевич.
Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств Al GaAs-GaAs гетероструктур с субмикронными слоями : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1989. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств Al GaAs-GaAs гетероструктур с субмикронными слоями : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1989. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 89-5/2663-8
FB 9 89-5/2664-6
Описание
| Автор | Воднев, Андрей Анатольевич |
|---|---|
| Заглавие | Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств Al GaAs-GaAs гетероструктур с субмикронными слоями : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 26.09.1989 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 13.09.2021 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| Выходные данные | Ленинград, 1989 |
| Физическое описание | 16 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.249,03 |
| В379.271.4,03 | |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 89-5/2663-8 |
| FB 9 89-5/2664-6 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
