Андреев, Дмитрий Валерьевич. - Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Всерос. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина. - Москва, 1994. - 19 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Андреев, Дмитрий Валерьевич.
Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Всерос. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина. - Москва, 1994. - 19 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Всерос. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина. - Москва, 1994. - 19 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
FB 9 94-2/3822-3
FB 9 94-2/3823-1
Описание
| Автор | Андреев, Дмитрий Валерьевич |
|---|---|
| Заглавие | Исследование фотоэлектрических характеристик многослойных фоточувствительных структур с диффузионными p-n-переходами : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 16.01.1995 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.10.2007 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Всерос. электротехн. ин-т им. В. И. Ленина |
| Выходные данные | Москва, 1994 |
| Физическое описание | 19 с. |
| Тема | Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника |
| BBK-код | З854.3-016,0 |
| Специальность | 05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 94-2/3822-3 |
| FB 9 94-2/3823-1 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
