Ахабаев, Бейбит Адиханович. - Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01 / Моск. гос. инж.-физ. ин-т. - Москва, 1997. - 18 с.

Экспресс-заказ фрагмента
Ахабаев, Бейбит Адиханович.
Ахабаев, Бейбит Адиханович.
Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01 / Моск. гос. инж.-физ. ин-т. - Москва, 1997. - 18 с.

Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
FB 9 97-4/2822-5
FB 9 97-4/2823-3

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеЛазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.13.05, 05.27.01
Коллекции ЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК РГБ 04.02.1998
Дата поступления в ЭБ РГБ 01.04.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиМоск. гос. инж.-физ. ин-т
Выходные данныеМосква, 1997
Физическое описание18 с.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
BBK-кодЗ852.24-016.22с34,0
З844.15-016.22с34,0
Специальность05.13.05: Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 97-4/2822-5
FB 9 97-4/2823-3
Электронный адрес Электронный ресурс