Сысоев, Игорь Александрович - Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06

Карточка

Сысоев, Игорь Александрович.
Сысоев, Игорь Александрович.

Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Новочеркасский техн. ун-т. - Новочеркасск, 1993. - 14 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
FB 9 93-3/637-4
FB 9 93-3/638-2

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМетод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 20.01.1994
Дата поступления в ЭБ 29.01.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиНовочеркасский техн. ун-т
Выходные данныеНовочеркасск, 1993
Физическое описание14 с.
ТемаТехнология полупроводников и материалов электронной техники
BBK-кодЗ86-5-06,0
Специальность05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 93-3/637-4
FB 9 93-3/638-2
Электронный адрес Электронный ресурс