Гиппиус, Николай Александрович. - Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Ин-т общ. физики. - Москва, 1988. - 14 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Гиппиус, Николай Александрович.
Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Ин-т общ. физики. - Москва, 1988. - 14 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Ин-т общ. физики. - Москва, 1988. - 14 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 88-9/1118-0
FB 9 88-9/1119-9
Описание
Автор | Гиппиус, Николай Александрович |
---|---|
Заглавие | Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 30.11.1988 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | АН СССР. Ин-т общ. физики |
Выходные данные | Москва, 1988 |
Физическое описание | 14 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.225с21,03 |
В379.251с21,03 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 88-9/1118-0 |
FB 9 88-9/1119-9 |