Гиппиус, Николай Александрович - Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Гиппиус, Николай Александрович.
Моделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Ин-т общ. физики. - Москва, 1988. - 14 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 88-9/1118-0
FB 9 88-9/1119-9

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМоделирование структурных изменений в приповерхностной области полупроводника под действием мощных лазерных импульсов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Дата поступления в ЕЭК 30.11.1988
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиАН СССР. Ин-т общ. физики
Выходные данныеМосква, 1988
Физическое описание14 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.225с21,03
В379.251с21,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 88-9/1118-0
FB 9 88-9/1119-9