Нгуен Ван Лиен - Моделирование структуры примесной зоны в прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Нгуен Ван Лиен.

Моделирование структуры примесной зоны в прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1989. - 29 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 90-1/4117-2
FB 9 90-1/4118-0

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМоделирование структуры примесной зоны в прыжковой проводимости слабо легированных полупроводников : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 13.03.1990
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиАН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Выходные данныеЛенинград, 1989
Физическое описание29 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.2с31,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 90-1/4117-2
FB 9 90-1/4118-0