Охрименко, Юрий Аврамович - Механизмы тензоэффектов в n-Si и n-Ge при различных уровнях легирования : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Охрименко, Юрий Аврамович.

Механизмы тензоэффектов в n-Si и n-Ge при различных уровнях легирования : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН УССР. Ин-т полупроводников АН УССР. - Киев, 1988. - 14 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 88-10/1811-0
FB 9 88-10/1812-9

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМеханизмы тензоэффектов в n-Si и n-Ge при различных уровнях легирования : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 25.02.1989
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиАН УССР. Ин-т полупроводников АН УССР
Выходные данныеКиев, 1988
Физическое описание14 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.7,03
В379.271.21,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 88-10/1811-0
FB 9 88-10/1812-9