Костромин, Сергей Викторович - Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Костромин, Сергей Викторович.
Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т. - Санкт-Петербург, 1997. - 16 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т. - Санкт-Петербург, 1997. - 16 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
FB 9 98-2/1796-0
FB 9 98-2/1797-9
Описание
Автор | Костромин, Сергей Викторович |
---|---|
Заглавие | Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 03.08.1998 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1997 |
Физическое описание | 16 с. |
Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
BBK-код | З843.323.08-1с,0 |
Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 98-2/1796-0 |
FB 9 98-2/1797-9 |