Костромин, Сергей Викторович - Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06

Карточка

Костромин, Сергей Викторович.

Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Санкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т. - Санкт-Петербург, 1997. - 16 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
FB 9 98-2/1796-0
FB 9 98-2/1797-9

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеНизкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Дата поступления в ЭК 03.08.1998
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиСанкт-Петербург. гос. электротехн. ун-т
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1997
Физическое описание16 с.
ТемаТехнология полупроводников и материалов электронной техники
BBK-кодЗ843.323.08-1с,0
Специальность05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 98-2/1796-0
FB 9 98-2/1797-9