Фуксман, Михаил Викторович. - Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Фуксман, Михаил Викторович.
Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-1/3494-5
FB 9 92-1/3495-3
Описание
Автор | Фуксман, Михаил Викторович |
---|---|
Заглавие | Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 21.04.1992 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 01.10.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1992 |
Физическое описание | 16 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | З86-531.8-03,0 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 92-1/3494-5 |
FB 9 92-1/3495-3 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |