Фуксман, Михаил Викторович - Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Фуксман, Михаил Викторович.
Фуксман, Михаил Викторович.

Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 92-1/3494-5
FB 9 92-1/3495-3

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs РО ДГС ( λ=0.8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 21.04.1992
Дата поступления в ЭБ 02.10.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиРоссийская Академия наук. Физ.-техн. ин-т
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1992
Физическое описание16 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодЗ86-531.8-03,0
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 92-1/3494-5
FB 9 92-1/3495-3
Электронный адрес Электронный ресурс