Ефимова, Александра Ивановна. - Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова. - Москва, 1988. - 21 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Ефимова, Александра Ивановна.
Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова. - Москва, 1988. - 21 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова. - Москва, 1988. - 21 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 89-2/121-6
FB 9 89-2/122-4
Описание
Автор | Ефимова, Александра Ивановна |
---|---|
Заглавие | Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 20.03.1989 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 10.08.2021 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова |
Выходные данные | Москва, 1988 |
Физическое описание | 21 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.251.4,03 |
В379.227,03 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 89-2/121-6 |
FB 9 89-2/122-4 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |