Ефимова, Александра Ивановна - Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Ефимова, Александра Ивановна.
Ефимова, Александра Ивановна.
Особенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова. - Москва, 1988. - 21 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 89-2/121-6
FB 9 89-2/122-4

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности лазерноиндуцированного дефектообразования в приповерхностных слоях полупроводников А3 В5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 20.03.1989
Дата поступления в ЭБ 10.08.2021
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиГос. ком. СССР по нар. образованию. МГУ им. М. В. Ломоносова
Выходные данныеМосква, 1988
Физическое описание21 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.251.4,03
В379.227,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 89-2/121-6
FB 9 89-2/122-4
Электронный адрес Электронный ресурс