Садаев Бури - Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al x Ga1-xAs Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Садаев Бури.

Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al x Ga1-xAs Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Ашхабад, 1990. - 20 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 91-1/3230-3
FB 9 91-1/3231-1

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr, Al x Ga1-xAs Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 28.05.1991
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФиз.-техн. ин-т
Выходные данныеАшхабад, 1990
Физическое описание20 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.251.4с1,03
В379.271.4с1,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 91-1/3230-3
FB 9 91-1/3231-1