Гоцадзе, Георгий Гиглаевич. - Оптоэлектронные элементы с собственным электрооптическим эффектом на основе двойных гетероструктур в системе GaAs / GaAlAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1990. - 19 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Гоцадзе, Георгий Гиглаевич.
Оптоэлектронные элементы с собственным электрооптическим эффектом на основе двойных гетероструктур в системе GaAs / GaAlAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1990. - 19 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Оптоэлектронные элементы с собственным электрооптическим эффектом на основе двойных гетероструктур в системе GaAs / GaAlAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Ленинград, 1990. - 19 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 90-7/1906-9
FB 9 90-7/1907-7
Описание
| Автор | Гоцадзе, Георгий Гиглаевич |
|---|---|
| Заглавие | Оптоэлектронные элементы с собственным электрооптическим эффектом на основе двойных гетероструктур в системе GaAs / GaAlAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 25.10.1990 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| Выходные данные | Ленинград, 1990 |
| Физическое описание | 19 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.271.5,03 |
| В343.8,03 | |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 90-7/1906-9 |
| FB 9 90-7/1907-7 |
