Карфул Ризек - Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Карфул Ризек.
Карфул Ризек.

Поведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гос. техн. ун-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 16 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 92-2/2155-4
FB 9 92-2/2156-2

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеПоведение глубоких центров в GaAs при лазерном облучении барьеров шоттки : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 20.05.1992
Дата поступления в ЭБ 01.10.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиГос. техн. ун-т
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1992
Физическое описание16 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.222,03
В379.271.26,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 92-2/2155-4
FB 9 92-2/2156-2
Электронный адрес Электронный ресурс