Борун, Александр Феликсович. - Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. ин-т электронной техники. - Москва, 1995. - 30 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Борун, Александр Феликсович.
Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. ин-т электронной техники. - Москва, 1995. - 30 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. ин-т электронной техники. - Москва, 1995. - 30 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 95-3/2642-7
FB 9 95-3/2643-5
Описание
Автор | Борун, Александр Феликсович |
---|---|
Заглавие | Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 04.06.1996 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 28.04.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Моск. ин-т электронной техники |
Выходные данные | Москва, 1995 |
Физическое описание | 30 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | З843.322.408-1,0 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 95-3/2642-7 |
FB 9 95-3/2643-5 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |