Беришев, Игорь Эрикович. - Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых заращенных InGaAsP/InP лазеров : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Беришев, Игорь Эрикович.
Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых заращенных InGaAsP/InP лазеров : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых заращенных InGaAsP/InP лазеров : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1993. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 93-3/838-5
FB 9 93-3/839-3
Описание
| Автор | Беришев, Игорь Эрикович |
|---|---|
| Заглавие | Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых заращенных InGaAsP/InP лазеров : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 20.01.1994 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 12.10.2007 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| Выходные данные | Санкт-Петербург, 1993 |
| Физическое описание | 18 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | З86-531.8-06-64,0 |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 93-3/838-5 |
| FB 9 93-3/839-3 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
