Моргунов, Игорь Викторович - Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06

Карточка

Моргунов, Игорь Викторович.
Моргунов, Игорь Викторович.

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Моск. ин-т стали и сплавов. - Москва, 1995. - 23 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
FB 9 96-2/2375-2
FB 9 96-2/2376-0

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеРазработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 13.01.1997
Дата поступления в ЭБ 20.09.2007
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиМоск. ин-т стали и сплавов
Выходные данныеМосква, 1995
Физическое описание23 с.
ТемаТехнология полупроводников и материалов электронной техники
BBK-кодЗ843.322.4-6,0
Специальность05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 96-2/2375-2
FB 9 96-2/2376-0
Электронный адрес Электронный ресурс