Дмитриев, Владимир Андреевич - Р-п-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3 N. Разработка технологии, получение и исследование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Дмитриев, Владимир Андреевич.

Р-п-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3 N. Разработка технологии, получение и исследование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1996. - 48 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 96-2/2617-4
FB 9 96-2/2618-2

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеР-п-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3 N. Разработка технологии, получение и исследование : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 15.01.1997
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФиз.-техн. ин-т
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1996
Физическое описание48 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.2,03
З843.308-01,0
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 96-2/2617-4
FB 9 96-2/2618-2