Майсурадзе, Русудан Михайловна - Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs многослойных структурах на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Майсурадзе, Русудан Михайловна.
Механизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs многослойных структурах на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Тбилисский гос. ун-т. - Тбилиси, 1991. - 19 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 91-9/2031-X
FB 9 98-10/2384-1

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМеханизмы компенсации в эпитаксиальном GaAs многослойных структурах на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Дата поступления в ЕЭК 04.05.1998
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиТбилисский гос. ун-т
Выходные данныеТбилиси, 1991
Физическое описание19 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 91-9/2031-X
FB 9 98-10/2384-1