Султанов, Ахмаджон Мажидович - Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Султанов, Ахмаджон Мажидович.
Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 21 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 21 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-4/31-9
FB 9 92-4/32-7
Описание
Автор | Султанов, Ахмаджон Мажидович |
---|---|
Заглавие | Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 25.09.1992 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 02.10.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Физ.-техн. ин-т |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1992 |
Физическое описание | 21 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | З264.22,0 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 92-4/31-9 |
FB 9 92-4/32-7 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |