Цацульников, Андрей Федорович - Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Цацульников, Андрей Федорович.
Цацульников, Андрей Федорович.
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-4/324-5
FB 9 92-4/325-3
Документ в свободном доступе. Читать Электронный заказ

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеСтроение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 29.09.1992
Дата поступления в ЭБ 03.10.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиРоссийская Академия наук. Физ.-технич. ин-т
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1992
Физическое описание17 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 92-4/324-5
FB 9 92-4/325-3
Электронный адрес Электронный ресурс