Цацульников, Андрей Федорович. - Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Цацульников, Андрей Федорович.
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-4/324-5
FB 9 92-4/325-3
Описание
| Автор | Цацульников, Андрей Федорович |
|---|---|
| Заглавие | Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 29.09.1992 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 03.10.2008 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т |
| Выходные данные | Санкт-Петербург, 1992 |
| Физическое описание | 17 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.222,03 |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 92-4/324-5 |
| FB 9 92-4/325-3 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
