Цацульников, Андрей Федорович. - Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Цацульников, Андрей Федорович.
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т. - Санкт-Петербург, 1992. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 92-4/324-5
FB 9 92-4/325-3
Описание
Автор | Цацульников, Андрей Федорович |
---|---|
Заглавие | Строение и свойства глубоких акцепторных центров, создаваемых элементами подгруппы меди в GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 29.09.1992 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 03.10.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Российская Академия наук. Физ.-технич. ин-т |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1992 |
Физическое описание | 17 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.222,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 92-4/324-5 |
FB 9 92-4/325-3 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |