Моргунов, Игорь Викторович - Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Моргунов, Игорь Викторович.
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06. - Москва, 1996. - 199 с. : ил.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
мощные высоковольтные транзисторы
Шифр хранения:
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06. - Москва, 1996. - 199 с. : ил.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
мощные высоковольтные транзисторы
Шифр хранения:
OD 61 96-5/1347-2
Описание
Автор | Моргунов, Игорь Викторович |
---|---|
Заглавие | Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 03.02.1997 |
Каталоги | Диссертации |
Выходные данные | Москва, 1996 |
Физическое описание | 199 с. : ил. |
Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
Термины-указатели | мощные высоковольтные транзисторы |
Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 61 96-5/1347-2 |