Моргунов, Игорь Викторович - Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06

Карточка

Моргунов, Игорь Викторович.

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06. - Москва, 1996. - 199 с. : ил.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
мощные высоковольтные транзисторы
OD 61 96-5/1347-2

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеРазработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Дата поступления в ЭК 03.02.1997
Каталоги Диссертации
Выходные данныеМосква, 1996
Физическое описание199 с. : ил.
ТемаТехнология полупроводников и материалов электронной техники
мощные высоковольтные транзисторы
Специальность05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 96-5/1347-2