Иошкин, Владимир Андреевич. - Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01. - Москва, 1994. - 169 с. : ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Иошкин, Владимир Андреевич.
Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01. - Москва, 1994. - 169 с. : ил.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01. - Москва, 1994. - 169 с. : ил.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
OD 61 94-1/454
Описание
Автор | Иошкин, Владимир Андреевич |
---|---|
Заглавие | Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 05.04.1999 |
Каталоги | Диссертации |
Выходные данные | Москва, 1994 |
Физическое описание | 169 с. : ил. |
Тема | Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника |
BBK-код | В379.251.4-6,03 |
Специальность | 05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 61 94-1/454 |