Иошкин, Владимир Андреевич - Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

Карточка

Иошкин, Владимир Андреевич.

Исследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01. - Москва, 1994. - 169 с. : ил.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
OD 61 94-1/454-2

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование закономерностей роста буферных слоев и способы улучшения качества тонких пленок арсенида галлия на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Дата поступления в ЭК 05.04.1999
Каталоги Диссертации
Выходные данныеМосква, 1994
Физическое описание169 с. : ил.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
BBK-кодВ379.251.4-6,03
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 94-1/454-2