Агадов - Физико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений А2В3VI : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01

Карточка

Агадов.
Агадов.

Физико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений А2В3VI : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01. - Воронеж, 1993. - 22 c. : ил.
Твердотельная электроника и микроэлектроника

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеФизико-химические основы формирования гетероструктур со слоями соединений А2В3VI : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 11.06.2008
Дата поступления в ЭБ 04.06.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеВоронеж, 1993
Физическое описание22 c. : ил
ТемаТвердотельная электроника и микроэлектроника
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Электронный адрес Электронный ресурс