Бутусов, Игорь Юрьевич - Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01

Карточка

Бутусов, Игорь Юрьевич.
Бутусов, Игорь Юрьевич.

Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Воронежский ун-т. - Воронеж, 1998. - 18 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
FB 9 98-7/1297-X
FB 9 98-7/1298-8

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеНеразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 16.02.1999
Дата поступления в ЭБ 01.04.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиВоронежский ун-т
Выходные данныеВоронеж, 1998
Физическое описание18 с.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
BBK-кодЗ852.3-06-7с108,0
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 98-7/1297-X
FB 9 98-7/1298-8
Электронный адрес Электронный ресурс