Бутусов, Игорь Юрьевич. - Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Воронежский ун-т. - Воронеж, 1998. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Бутусов, Игорь Юрьевич.
Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Воронежский ун-т. - Воронеж, 1998. - 18 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Воронежский ун-т. - Воронеж, 1998. - 18 с.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
FB 9 98-7/1297-X
FB 9 98-7/1298-8
Описание
Автор | Бутусов, Игорь Юрьевич |
---|---|
Заглавие | Неразрушающий электрический контроль структур SiO2 Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.01 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 16.02.1999 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 01.04.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Воронежский ун-т |
Выходные данные | Воронеж, 1998 |
Физическое описание | 18 с. |
Тема | Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника |
BBK-код | З852.3-06-7с108,0 |
Специальность | 05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 98-7/1297-X |
FB 9 98-7/1298-8 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |