Мохов, Евгений Николаевич. - Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига : [Текст] : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1998. - 47 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Мохов, Евгений Николаевич.
Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига : [Текст] : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1998. - 47 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига : [Текст] : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Санкт-Петербург, 1998. - 47 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 98-7/2673-3
FB 9 98-7/2674-1
Описание
Автор | Мохов, Евгений Николаевич |
---|---|
Заглавие | Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига : [Текст] : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 26.02.1999 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1998 |
Физическое описание | 47 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.222,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 98-7/2673-3 |
FB 9 98-7/2674-1 |