Селезнев, Владимир Александрович - Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Селезнев, Владимир Александрович.

Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1999. - 20 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 99-5/2261-8
FB 9 99-5/2262-6

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеФормирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Дата поступления в ЭК 09.12.1999
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеНовосибирск, 1999
Физическое описание20 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.5,03
В379.251.4,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 99-5/2261-8
FB 9 99-5/2262-6