Чалдышев, Владимир Викторович. - Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 51 с.; 20х15 см.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Чалдышев, Владимир Викторович.
Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 51 с.; 20х15 см.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 51 с.; 20х15 см.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
OD 71 99-1/384
Описание
Автор | Чалдышев, Владимир Викторович |
---|---|
Заглавие | Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
Дата поступления в ЭК РГБ | 08.12.1999 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 10.12.2014 |
Каталоги | Диссертации |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 1999 |
Физическое описание | 51 с.; 20х15 см |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.271.26,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 71 99-1/384 |
Электронный адрес | Электронный ресурс |