Чалдышев, Владимир Викторович - Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10

Карточка

Чалдышев, Владимир Викторович.
Чалдышев, Владимир Викторович.

Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 51 с.; 20х15 см.
Физика полупроводников и диэлектриков
OD 71 99-1/384-0

Документ охраняется авторским правом. Полный текст доступен в РГБ и виртуальных читальных залах. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИзовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : диссертация ... доктора физико-математических наук в форме науч. докл. : 01.04.10
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 08.12.1999
Дата поступления в ЭБ 10.12.2014
Каталоги Диссертации
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1999
Физическое описание51 с.; 20х15 см
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.26,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 71 99-1/384-0
Электронный адрес Электронный ресурс