Власукова, Людмила Александровна - Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07

Власукова, Людмила Александровна.
Экспресс-заказ фрагмента
Власукова, Людмила Александровна.
Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Минск, 1995. - 19 с. : ил.

Физика твердого тела

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеАнализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЕЭК 16.07.2008
Дата поступления в ЭБ 01.07.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеМинск, 1995
Физическое описание19 с. : ил
ТемаФизика твердого тела
Специальность01.04.07: Физика конденсированного состояния
ЯзыкРусский
Электронный адрес Электронный ресурс