Власукова, Людмила Александровна - Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07

Карточка

Власукова, Людмила Александровна.
Власукова, Людмила Александровна.

Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Минск, 1995. - 19 c. : ил.
Физика твердого тела

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеАнализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композиций на его основе : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 16.07.2008
Дата поступления в ЭБ 01.07.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеМинск, 1995
Физическое описание19 c. : ил
ТемаФизика твердого тела
Специальность01.04.07: Физика конденсированного состояния
ЯзыкРусский
Электронный адрес Электронный ресурс