Самойлов, Виктор Александрович - Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Самойлов, Виктор Александрович.
Самойлов, Виктор Александрович.

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 00-4/2485-2
FB 9 00-4/2486-0

Документ в свободном доступе. Читать Электронный заказ

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеРелаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 04.09.2000
Дата поступления в ЭБ 11.08.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиИн-т физики полупроводников СО РАН
Выходные данныеНовосибирск, 2000
Физическое описание18 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.13-6,03
В379.226с1,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 00-4/2485-2
FB 9 00-4/2486-0
Электронный адрес Электронный ресурс