Самойлов, Виктор Александрович. - Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Самойлов, Виктор Александрович.
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-4/2485-2
FB 9 00-4/2486-0
Описание
Автор | Самойлов, Виктор Александрович |
---|---|
Заглавие | Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 04.09.2000 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.08.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Ин-т физики полупроводников СО РАН |
Выходные данные | Новосибирск, 2000 |
Физическое описание | 18 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.13-6,03 |
В379.226с1,03 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 00-4/2485-2 |
FB 9 00-4/2486-0 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |