Самойлов, Виктор Александрович. - Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Самойлов, Виктор Александрович.
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-4/2485-2
FB 9 00-4/2486-0
Описание
| Автор | Самойлов, Виктор Александрович |
|---|---|
| Заглавие | Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 04.09.2000 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.08.2008 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Ин-т физики полупроводников СО РАН |
| Выходные данные | Новосибирск, 2000 |
| Физическое описание | 18 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.13-6,03 |
| В379.226с1,03 | |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 00-4/2485-2 |
| FB 9 00-4/2486-0 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
