Новиков, Павел Леонидович. - Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Новиков, Павел Леонидович.
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-4/2171-3
FB 9 00-4/2172-1
Описание
Автор | Новиков, Павел Леонидович |
---|---|
Заглавие | Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 14.09.2000 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.08.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников |
Выходные данные | Новосибирск, 2000 |
Физическое описание | 18 с. |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.251.4-6с31,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 00-4/2171-3 |
FB 9 00-4/2172-1 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |