Новиков, Павел Леонидович - Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Новиков, Павел Леонидович.
Новиков, Павел Леонидович.

Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 00-4/2171-3
FB 9 00-4/2172-1

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМоделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 14.09.2000
Дата поступления в ЭБ 11.08.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиРос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
Выходные данныеНовосибирск, 2000
Физическое описание18 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.251.4-6с31,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 00-4/2171-3
FB 9 00-4/2172-1
Электронный адрес Электронный ресурс