Новиков, Павел Леонидович. - Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Новиков, Павел Леонидович.
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 18 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-4/2171-3
FB 9 00-4/2172-1
Описание
| Автор | Новиков, Павел Леонидович |
|---|---|
| Заглавие | Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 14.09.2000 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.08.2008 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Рос. акад. наук. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников |
| Выходные данные | Новосибирск, 2000 |
| Физическое описание | 18 с. |
| Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
| BBK-код | В379.251.4-6с31,03 |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 00-4/2171-3 |
| FB 9 00-4/2172-1 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
