Середин, Лев Михайлович. - Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 20 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Середин, Лев Михайлович.
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 20 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 20 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
FB 9 00-3/867-4
FB 9 00-3/868-2
Описание
Автор | Середин, Лев Михайлович |
---|---|
Заглавие | Основы технологии получения кремниевых структур с объемными элементами методом жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 21.09.2000 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 02.07.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Южно-Рос. гос. технич. ун-т |
Выходные данные | Новочеркасск, 2000 |
Физическое описание | 20 с. |
Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
BBK-код | З843.322.408-642,0 |
Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 00-3/867-4 |
FB 9 00-3/868-2 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |