Неустроев, Ефим Петрович - Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Неустроев, Ефим Петрович.
Неустроев, Ефим Петрович.

Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / СО РАН; Объединенный ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 2000. - 17 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
FB 9 00-4/2865-3
FB 9 00-4/2866-1

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеФормирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 28.08.2000
Дата поступления в ЭБ 27.02.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиСО РАН; Объединенный ин-т физики полупроводников
Выходные данныеНовосибирск, 2000
Физическое описание17 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.26,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 00-4/2865-3
FB 9 00-4/2866-1
Электронный адрес Электронный ресурс