Селезнев, Владимир Александрович - Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Селезнев, Владимир Александрович.
Селезнев, Владимир Александрович.

Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1999. - 155 с. : ил.
Физика полупроводников и диэлектриков
OD 61 00-1/747-1

Документ охраняется авторским правом. Полный текст доступен в РГБ и виртуальных читальных залах. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеФормирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 09.12.1999
Дата поступления в ЭБ 16.04.2013
Каталоги Диссертации
Выходные данныеНовосибирск, 1999
Физическое описание155 с. : ил.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.5,03
В379.251.4,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 00-1/747-1
Электронный адрес Электронный ресурс