Смолин, Александр Юрьевич. - Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 17 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Смолин, Александр Юрьевич.
Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 17 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Южно-Рос. гос. технич. ун-т. - Новочеркасск, 2000. - 17 с.
Технология полупроводников и материалов электронной техники
Шифр хранения:
FB 9 00-3/1297-3
FB 9 00-3/1298-1
Описание
| Автор | Смолин, Александр Юрьевич |
|---|---|
| Заглавие | Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 29.09.2000 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 02.07.2008 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Южно-Рос. гос. технич. ун-т |
| Выходные данные | Новочеркасск, 2000 |
| Физическое описание | 17 с. |
| Тема | Технология полупроводников и материалов электронной техники |
| BBK-код | З252.83-060.7-64,0 |
| Специальность | 05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 00-3/1297-3 |
| FB 9 00-3/1298-1 | |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
