Комарницкая, Елена Александровна - Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Карточка

Комарницкая, Елена Александровна.
Комарницкая, Елена Александровна.

Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 2000. - 132 с.
Физика полупроводников и диэлектриков
OD 61 00-1/758-7

Документ охраняется авторским правом. Полный текст доступен в РГБ и виртуальных читальных залах. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 01.08.2000
Дата поступления в ЭБ 09.09.2011
Каталоги Диссертации
Выходные данныеМосква, 2000
Физическое описание132 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.227,03
В379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 00-1/758-7
Электронный адрес Электронный ресурс