Комарницкая, Елена Александровна - Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Комарницкая, Елена Александровна.
Экспресс-заказ фрагмента
Комарницкая, Елена Александровна.
Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 2000. - 132 с.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
OD 61 00-1/758-7

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЕЭК 01.08.2000
Дата поступления в ЭБ 09.09.2011
Каталоги Диссертации
Выходные данныеМосква, 2000
Физическое описание132 с.
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.227,03
В379.222,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 00-1/758-7
Электронный адрес Электронный ресурс