Гейфман, Евгений Моисеевич. - Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01. - Саранск, 2000. - 349 с. : ил.

Экспресс-заказ фрагмента
Гейфман, Евгений Моисеевич.
Гейфман, Евгений Моисеевич.
Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01. - Саранск, 2000. - 349 с. : ил.

Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Шифр хранения:
OD 71 00-5/521

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеВысоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01
Коллекции ЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Диссертации
Дата поступления в ЭК РГБ 27.06.2000
Дата поступления в ЭБ РГБ 15.03.2012
Каталоги Диссертации
Выходные данныеСаранск, 2000
Физическое описание349 с. : ил.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияOD 71 00-5/521
Электронный адрес Электронный ресурс