Гейфман, Евгений Моисеевич - Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01

Карточка

Гейфман, Евгений Моисеевич.
Гейфман, Евгений Моисеевич.

Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01. - Саранск, 2000. - 349 с. : ил.
Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
OD 71 00-5/521-2

Документ охраняется авторским правом. Полный текст доступен в РГБ и виртуальных читальных залах. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеВысоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 27.06.2000
Дата поступления в ЭБ 15.03.2012
Каталоги Диссертации
Выходные данныеСаранск, 2000
Физическое описание349 с. : ил.
ТемаТвердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияOD 71 00-5/521-2
Электронный адрес Электронный ресурс